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RUM002N05
? Electrical characteristics (Ta = 25 ? C) ?
Data Sheet
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
-
Typ.
-
Max.
? 10
Unit
? A
Conditions
V GS = ? 8V, V DS =0V
Drain-source breakdown voltage V (BR)DSS
50
-
-
V
I D =1mA, V GS =0V
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
I DSS
V GS (th)
-
0.3
-
-
1
1.0
? A
V
V DS =50V, V GS =0V
V DS =10V, I D =1mA
-
1.6
2.2
I D =200mA, V GS =4.5V
Static drain-source on-state
resistance
R DS (on) *
-
-
1.7
1.9
2.4
2.7
?
I D =200mA, V GS =2.5V
I D =100mA, V GS =1.8V
-
-
2.0
2.4
4.0
7.2
I D =40mA, V GS =1.5V
I D =20mA, V GS =1.2V
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
l Y fs l *
C iss
C oss
C rss
t d(on) *
t r *
t d(off) *
t f *
0.4
-
-
-
-
-
-
-
-
25
6
3
4
6
15
55
-
-
-
-
-
-
-
-
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
I D =200mA, V DS =10V
V DS =10V
V GS =0V
f=1MHz
I D =100mA, V DD 30V
V GS =4.5V
R L =300 ?
R G =10 ?
*Pulsed
? Body diode characteristics (Source-Drain) (Ta = 25 ? C) ?
Parameter
Symbol Min. Typ.
Max.
Unit
Conditions
Forward voltage V SD *
- -
1.2
V
I s =200mA, V GS =0V
*Pulsed
www.rohm.com
c 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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